| 中文题名： | 铁氧化物的电流开关效应研究 |
| 姓名： | |
| 保密级别： | 公开 |
| 学科代码： | 070201 |
| 学科专业： | |
| 学生类型： | 学士 |
| 学位： | 理学学士 |
| 学位年度： | 2011 |
| 学校： | 北京师范大学 |
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| 第一导师姓名： | |
| 第一导师单位： | |
| 提交日期： | 2011-06-16 |
| 答辩日期： | 2011-06-16 |
| 中文关键词： | |
| 中文摘要： |
采用脉冲激光沉积（PLD）技术,在不同硅（Si）基片制备生长Fe3O4薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）分析Fe3O4膜的生长情况；随后用PLD技术在这些膜上镀金（Au）电极，形成Au/Fe3O4/Si/Au结构异质结，对其电流-电压(I-V)及电阻开关(resistance switching) 特性进行了研究，并且对退火处理前后的特性做了比较。发现Au/Fe3O4/Si/Au异质结有电流回滞现象，并且不同的硅基片制备的异质结的伏安特性会有不同；煺火后观察到Au/Fe3O4/Si/Au异质结有明显的单向电阻开关效应，置位（set）电压和复位（reset）电压在一定范围内波动，高低电阻比达20左右。对比异质结不同部分的电阻，发现电阻开关效应主要来源于金电极和Fe3O4膜的接触面。
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| 外文摘要： |
Taking use of the PLD method, Fe3O4 films were sputter-deposited into stacks of Au/Fe3O4/Si/Au ,the structure of heterojunction samples were analyzed by X-ray diffraction. The samples after annealing treatment exhibits unipolar resistive switching. Resistance ratio~20,yet wide voltage distribution(0.2~1.7V for set,0.5~2.3V for reset).
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| 参考文献总数： | 7 |
| 插图总数： | 22 |
| 插表总数： | 2 |
| 馆藏号： | 本070201/1106 |
| 开放日期： | 2011-06-16 |
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