| 中文题名： | As+注入多晶硅热驱进形成浅结工艺研究 |
| 姓名： | |
| 保密级别： | 公开 |
| 学科代码： | 070204 |
| 学科专业： | |
| 学生类型： | 硕士 |
| 学位年度： | 1984 |
| 学校： | 北京师范大学 |
| 校区： | |
| 学院： | |
| 研究方向： | 离子束物理 |
| 第一导师姓名： | |
| 提交日期： | 1984-12-01 |
| 答辩日期： | 1984-12-01 |
| 中文摘要： |
本文研究了As~+注入多晶硅热驱进形的浅结工艺。文中讨论了此工艺中的基本参数测量。多晶硅单晶硅之间的界面层对As驱进扩散的作用及多晶硅—单晶硅双层结构中的杂技再分布的计算机模拟。在测量注As热驱进形成的浅结特性基础上，证明了As~+注入多晶硅热驱进形成浅结工艺可以在单晶硅中形成载流子浓度为10~ 20cm~-3，结深小于0.2um如结击穿特性良好的高浓度浅结。
﹀
|
| 外文摘要： |
default
﹀
|
| 参考文献总数： | 0 |
| 馆藏号： | 硕070204/812 |
| 开放日期： | 2016-01-01 |
谷歌
