| 中文题名： | RTCVD制备多晶硅薄膜的研究 |
| 姓名： | |
| 保密级别： | 公开 |
| 学科代码： | 070205 |
| 学科专业： | |
| 学生类型： | 硕士 |
| 学位： | 理学硕士 |
| 学位年度： | 2004 |
| 学校： | 北京师范大学 |
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| 学院： | |
| 研究方向： | 薄膜太阳能电池 |
| 第一导师姓名： | |
| 第一导师单位： | |
| 第二导师姓名： | |
| 提交日期： | 2004-06-11 |
| 答辩日期： | 2004-05-30 |
| 外文题名： | The research on polycrystalline silicon thin-film deposited by RTCVD） |
| 中文关键词： | |
| 中文摘要： |
摘 要 陶瓷衬底上的多晶硅薄膜电池是一种以降低成本为目标的新型太阳电池，具有很好的应用前景。薄膜的制备是薄膜电池制备中的重要步骤之一，薄膜的质量直接影响到电池的结果。为了掌握薄膜生长的规律，进而得到优良的多晶硅薄膜，本文运用RTCVD淀积多晶硅薄膜的方法，详细研究了不同陶瓷衬底和不同淀积条件对多晶硅薄膜特性的影响，获得了RTCVD制备多晶硅薄膜工艺的多方面规律性认识。 研究了不同衬底的结构和成分对生成的多晶硅薄膜的外部形貌、反射率、及生长速度的影响，发现Al2O3大片要优于Al2O3小片。
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| 外文摘要： |
Abstract The polycrystalline silicon thin-film cell on ceramic substrate is a promising new style solar cell for lower cost. The craft of making thin-film is an important part in solar cell production, and the quality of thin film that deposited on sub
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| 参考文献总数： | 49 |
| 馆藏号： | 硕070205/0416 |
| 开放日期： | 2004-06-11 |
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