| 中文题名： | Mev离子束感生硅非晶化、再结晶及其缺陷的微结构研究 |
| 姓名： | |
| 保密级别： | 公开 |
| 学科代码： | 070204 |
| 学科专业： | |
| 学生类型： | 博士 |
| 学位年度： | 1990 |
| 学校： | 北京师范大学 |
| 校区： | |
| 学院： | |
| 研究方向： | 粒子与固体相互作用 |
| 第一导师姓名： | |
| 提交日期： | 1990-03-01 |
| 答辩日期： | 1990-03-01 |
| 中文摘要： |
本文利用背散射（RBS）沟道分析技术和透射电子显微镜（TEM）及高分辨电子显微术（HREM）对MeV离子轰击硅引起的非晶化与再结晶现象及其规律进行了系统的研究，并对MeV离子与硅相互作用产生的缺陷进行了微结构分析。首次将MeV离子注入硅引起的损伤和缺陷与低能（＜200keV）离子注入情况进行了类比，在MeV离子注入领域引入了与注入相关的缺陷分类概念。通过对MeV As+注人硅非晶化过程的研究，观察到了损伤 区的晶岛弥散结构，提出了晶岛弥散模型，修正了以往解释第Ⅳ类缺陷的“蛤壳”模型。通过对MeV重离子In
﹀
|
| 参考文献总数： | 0 |
| 馆藏地： | 图书馆学位论文阅览区（主馆南区三层BC区） |
| 馆藏号： | 博070204/881 |
| 开放日期： | 2016-01-01 |
谷歌
