| 中文题名： | GAP中3d过渡杂质特性研究 |
| 姓名： | |
| 保密级别： | 公开 |
| 学科代码： | 070204 |
| 学科专业： | |
| 学生类型： | 硕士 |
| 学位年度： | 1988 |
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| 学院： | |
| 研究方向： | 实验固体 |
| 第一导师姓名： | |
| 提交日期： | 1988-04-01 |
| 答辩日期： | 1988-04-01 |
| 中文摘要： |
3d过渡金属杂质Fe在GaP中为深受主中心， 具有补偿效应，强烈影响材料的光电特性。 本工作首次采用穆斯堡尔谱，并结合EPR谱研 究了Fe在GaP中的特性，在样品制备方面，除使 用常规的扩散工艺实现向GaP中掺Fe，并获得比 较成功的扩Fe工艺外，还首次采用离子注入这个 先进的掺杂技术，达到掺Fe目的。 研究结果表明，Fe在GaP中占据Ga位，处于 四个P原子形成的四面体中心。本工作观测到Fe 在GaP中的二种存在状态——Fe~＋和Fe~3＋，并发 现在二种工艺制备的样品中，二种铁离子所占的比 重也不同。
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| 外文摘要： |
Fe as one of 3d transition metal impurities forms deep acceptor centres with different charges in GaP,and has strong compensation effect giving a seriously influence on the optoelectronic properties of the material The first study for the properties of Fe
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| 参考文献总数： | 0 |
| 馆藏号： | 硕070204/854 |
| 开放日期： | 2016-01-01 |
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