ZnO 是一种重要的直接宽带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV ,激子束缚能为60 meV ,对于开发蓝绿、蓝光、紫外等多种发光器件有巨大潜力。 本文采用退火法在玻璃衬底上先生长ZnO籽晶，然后用超声雾化化学气相沉淀法成功生长了不同厚度、光学性质和电学性质的ZnO纳米薄膜，用TU-1900型双光束紫外可见分光光度计测试薄膜的吸收，用岛津XRD-6000型X射线衍射仪（XRD）探究薄膜的晶体结构，用吉时利4200-SCS型半导体特性分析仪测量了薄膜的电学性质，用日立S-4800型扫描电子显微镜分析了纳米薄膜的结构和形态。探究了衬底温度、前驱体溶液浓度、载气流量、衬底位置和放置方式对薄膜性质影响。结果表明，随着衬底温度的增加（从250℃～400℃），ZnO纳米薄膜的c轴择优取向和电阻率先改善而后变差。随着驱体溶液浓度的增大，ZnO纳米薄膜的厚度减小；在衬底温度350℃、前驱体溶液（醋酸锌乙醇溶液）为0.05mol/L、进气流量为600sccm的条件下，制备的ZnO纳米薄膜沿(002)晶向择优生长，并且薄膜致密性较好、电阻率更小，电阻率为 。另外，衬底位置和放置方式也会直接影响ZnO纳米薄膜能否生长。