稀土元素有着特殊的电子层结构，因此具有丰富的发光能级。稀土离子掺杂发ZnO半导体发光材料在平面显示、半导体激光器和照明行业中有着重要的应用前景。本论文研究了稀土Eu3+掺杂半导体ZnO材料的发光性能。 首先制备了掺有不同浓度的稀土Eu3+的沉积在Si片上的氧化锌薄膜样品，测试样品的荧光发射谱（PL），观察到ZnO及掺杂Eu3+离子发光，最佳掺杂浓度介于1%到3%之间。 接下来，为提高稀土的发光效率，增加ZnO中有效掺杂浓度，对掺杂基体材料进行了改进，在ZnO薄膜中掺入了Al。通过比较发现在ZnO薄膜中加入Al有助于提高Eu3+的特征发光峰的强度。 BGO晶体的性能及应用近些年来引起了人们的重视。将BGO 晶体用作核辐射探测器,与以往的NaI(Tl)晶体相比, 具有探测效率高、机械性能好、不潮解等优点。BGO作为一种很出色的闪烁晶体，在各方面都有很突出的性能。我们本次研究的目的就是在尽量不影响BGO本征发光强度的条件下，尽量的减少其余辉。我们在BGO晶体中掺杂稀土金属离子试图达到这个目的。 本文中我们在BGO晶体中掺入Er3+，Er3++Cr，Nd3+，通过对几个样品发光峰及其发光强度，荧光寿命等各方面的性能研究和比较，掺入Er3+和Er3++Cr能有效的提高BGO的发光效率和强度，很大程度上抑制其余辉，使得作为闪烁体的BGO具有更加优良的性能。