| 中文题名： | 新型垂直沟道NPN型偶载场效应晶体管的设计与研制 |
| 姓名： | |
| 保密级别： | 公开 |
| 学科代码： | 070205 |
| 学科专业： | |
| 学生类型： | 硕士 |
| 学位： | 理学硕士 |
| 学位年度： | 2003 |
| 学校： | 北京师范大学 |
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| 研究方向： | 半导体器件及其应用 |
| 第一导师姓名： | |
| 第一导师单位： | |
| 提交日期： | 2003-06-24 |
| 答辩日期： | 2003-06-19 |
| 中文关键词： | 垂直沟道的偶载场效应晶体管 ; 集成电路 ; 系统级芯片 ; 有效沟道长度 |
| 中文摘要： |
本论文的主要内容是研制一种新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管（VDCFET）及其片上系统（SOC），报道了器件的设计思想和特性。随着集成电路技术的迅速发展，集成电路已经进入了系统级芯片（SOC）设计时代。单芯片的集成度和操作频率越来越高，集成度已经达到了上亿数量的晶体管，并且还在不断提高，这就导致了器件的关键尺寸不断缩小。目前，美国、日本和欧洲许多国家的各大半导体公司纷纷加大对SOC生产线的投资力度，建立新的SOC生产线。针对国际片上系统的进展以及我国片上系统的现状，研制和生产出作为SOC基本元件的小
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| 外文摘要： |
A new mode of field effect transistor, which is named vertical dual carrier field effect transistor （VDCFET）, and System-on-a-chip（SOC）are studied in this paper. The thought of design and the property of the device are reported. With rapid development of
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| 参考文献总数： | 38 |
| 馆藏号： | 硕070205/0308 |
| 开放日期： | 2003-06-24 |
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